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SK 海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄，目標(biāo) 2026 年投產(chǎn) HBM4

臺(tái)積電 CEO 下調(diào) 2024 全球代工廠預(yù)估產(chǎn)值增幅，并稱汽車(chē)行業(yè)將出現(xiàn)下降趨勢(shì)

由于消費(fèi)者疲軟持續(xù)，臺(tái)積電下調(diào)芯片市場(chǎng)前景

英特爾發(fā)布大型神經(jīng)擬態(tài)系統(tǒng)Hala Point，神經(jīng)元數(shù)量達(dá)11.5億

消息稱三星電子曾考慮在美國(guó)建設(shè)先進(jìn)DRAM內(nèi)存晶圓廠，最終放棄

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠相繼開(kāi)啟氖氣回收計(jì)劃回收率超70%

三星最快于下周公布440億美元在美芯片投資計(jì)劃

Omdia：Q3全球半導(dǎo)體制造行業(yè)收入增長(zhǎng)8.4%達(dá)1390億美元

韓美半導(dǎo)體獲美光226億韓元的HBM設(shè)備訂單

小米SU7搭載伏達(dá)半導(dǎo)體無(wú)線快充技術(shù)

三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品，采用混合鍵合技術(shù)

機(jī)構(gòu)：臺(tái)積電2nm量產(chǎn)將延遲至2026年底

全球芯片銷售持續(xù)增長(zhǎng)，美國(guó)發(fā)放芯片法案下第五筆大額補(bǔ)貼

傳臺(tái)積電熊本二廠選址確定，面積是一廠1.5倍

臺(tái)積電JASM熊本廠設(shè)立微芯科技專用40nm產(chǎn)線

英特爾和Altera發(fā)布專為AI打造的邊緣和FPGA產(chǎn)品

臺(tái)積電獲補(bǔ)貼將在美國(guó)建設(shè)第三座工廠中國(guó)臺(tái)灣回應(yīng)

美國(guó)計(jì)劃向臺(tái)積電三個(gè)芯片廠提供116億美元撥款及貸款

三星和SK海力士正在提升DRAM產(chǎn)量將恢復(fù)至削減前

英特爾推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)同前進(jìn)，加速邁向可持續(xù)未來(lái)

東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件，有望用于下一代內(nèi)存

英偉達(dá)布局東南亞：擬在印尼投資2億美元建AI中心

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